点击图片查看原图1、深紫外LED灯珠储存条件：温度10℃～26℃，湿度40%～65%，包装袋密封保留。
2、使用的全部进程一切与深紫外LED灯珠直接接触的人员都要做好避免和消除静电办法，切勿直接用手接触紫外发光二极管；
3、出产前查看机台设备接地线是否正常，工作台面要求铺好静电胶布，胶布之间应相互衔接并接地；
4、焊接时，要留意焊接时刻，焊接温度，别的正负极性要分清；
5、电流电压等电气参数不能超过额外参数值；
焊接大功率UV LED时需要留意：
1、焊接时刻不能超过3S；
2、焊接温度要≤260度；
3、回流焊接只允许焊1次；
4、焊接时，分清正负极性，留意避开透镜，以防损坏透镜
5、 做好散热办法，特别是大功率深紫外LED灯珠尽量保证满足散热器面积
6、为使紫外发光二极管寿数更长，主张使用较安稳的恒流驱动电流或IC，而不要选用恒压驱动电源或IC.
在做LED紫外线灯操作的时分，双眼不可直视紫外线,做好双眼和肌肤的防护。
深紫外LED灯珠固化灯是一种直接发作紫外光的半导体发光器材，发光波长为200nm至450nm某个波长的光源。能够分为两类：深紫外LED灯珠点光源和深紫外LED灯珠线面光源。
深紫外LED灯珠固化灯(2张)深紫外LED灯珠固化灯构成UVLED固化灯由夹在较薄GaN三明治构造中给一个或多个InGaN量i子阱构成，构成的有源区为覆层。经过改动InGaN量i子阱中InN-GaN的相对份额，发射波长可由紫光变到别的光。AlGaN经过改动AlN份额能用于制造UVLED中的覆层和量i子阱层，但这些器材的功率和成熟度较差。假如有源量i子阱层是GaN，与之相对是InGaN或AlGaN合金，则器材发射的光谱规模为350~370nm。
当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时，则发作紫外线辐射。含铝的氮化物，格外是AlGaN和AlGaInN能够制造更短波长的器材，取得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管现已商业化，根据氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研发成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研发中。
深紫外LED灯珠具有体积小、寿命长和功率高等长处，具有广泛的使用远景。现在深紫外LED灯珠 的发光功率不高，除了芯片制作水平的进步外，封装技能对LED的特性也有重要的影响。
现在，深紫外LED灯珠主要有环氧树脂封装和金属与玻璃透镜封装。前者主要使用于400 nm 摆布的近深紫外LED灯珠， 但紫外光对材料的老化影响较大。后者主要使用于波长小于380 nm 的深紫外LED灯珠，因为GaN 和蓝宝石折射率分别为2.4和1.76，而气体折射率为1，较大的折射率差致使全反射对光的约束较为严峻，封装后出光功率低。
封装材料是LED封装技能的另一个重要方面。LED封装资料主要有玻璃透镜、环氧树脂和硅树脂等。石英玻璃软化点温度为1600℃，热加工温度为1700~2000℃，从技能的视点，石英玻璃不适合用来密封LED芯片；环氧树脂高温耐热功能通常，耐紫外光功能较差；硅树脂是近几年开端使用于LED 封装的材料，现在国内对硅树脂的透过率、耐热和耐紫外光特性研讨较少，特别是对于硅树脂封装深紫外LED灯珠的特性还缺少研讨。
1、单个LED灯珠中加了控制芯片，可以发出各种颜色；
2、从电子电器的角度去看：单个LED台灯，由于光源采用的是LED，LED是直流的发光器件，理论上说是发出来的光，跟前几代的光源发出来的光不一样，传统的光源包括节能灯、金卤灯、白炽灯等都是交流，会跟着民用电网输入电流的频率进行变化（我国是220V，50HZ的电网），所以交流的频率波动中使得传统光源会出现频闪，长期在这种光源底下工作学习会对i眼睛有伤害。使用LED台灯的话，要看你懂不懂选，不是所有LED灯都没有频闪的，如果是使用充电电池的台灯，发光面板不会直接看到一颗颗LED灯珠的、没有炫光的就是能对i眼睛直到保护作用的，请注意，一定要选是面发光的。
3、从光学的角度去看：传统光源发光时会同时发出红色波长的光波，为不可见的红外线，波长在780nm以上的辐射会对i眼睛造成伤害，大部分近视都是长期在室内，过度依靠在传统照明照射底下工作学习所造成的。而LED光源，主要是蓝光蕊片激发黄色荧光粉，发光的波长在380-780nm之间，没有紫外线和红外线，忧质LED光源显色指数大于85的（显色指数越高越接近自然光），拥有相对较全的光谱，也就是同时拥有绿色光波，接近自然光，很多时候治辽近视都是要看绿色东西，因为是要靠绿色光波的修复眼睛的损伤，蕞起码不会加重近视。
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