压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的,
采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
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采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
多元系压电陶瓷能够弥补低元系陶瓷性能单一的缺陷,具备压电、介电和机械II生能较全的优点,应用领域更加广泛。大功率压电陶瓷材料是以高机械品质因数 (Q )、机电耦合系数(K。)和低介电损耗(tan 8)等为特征的综合性能优越的压电陶瓷,在近些年成为压电陶瓷材料领域里研究的热点之一。纯的PZT材料的Q 和K。是一对相互制约的因素,一个高,另一个必然低。所以目前在大功率压电材料的研究领域 中,研究者的目光大都集中在碲锰酸铅(PMS)、铌锰酸铅(PMN)、铌锌酸铅(PzN)等组元和 PZT组成的三元、四元和多元系的研究上『1J。公司在多年来的技术开发实践中,形成了30余个功能材料系列上千个品种的敏感元件及传感器。原文链接:http://www.sjgfc.com/caigou/show-32388.html,转载和复制请保留此链接。
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