曝光时间,s。
从上式可以看出,曝光总能量e随光强度j和曝光时间t而变化。当曝光时间丁一定,光强度改变,曝光总能量也随之改变。所以尽管严格控制了曝光时间,但实际上干膜在每次曝光时所获得的曝光总能量并不一定相同,因而聚合程度也就不同。为使每次曝光能量相同,必须使用光能量积分仪来计量曝光。
曝光显影是一种摄影技术中常用的过程,通常用于将摄影底片或者电子传感器中记录的光影信息转化为可见影像的过程。曝光是将光照射在底片或传感器上的过程,而显影则是将暴露的底片或传感器做出可见影像的过程。这个过程在摄影,印刷和微电子制造等很多领域中都有应用。曝光显影是一种用于光刻制程的技术,主要用于制造半导体芯片、液晶显示器等微电子器件。它包含两个阶段:曝光:在将光线通过掩膜中的芯片图案照射到光刻胶表面的过程中,使得光刻胶在芯片表面保留下芯片图案的影像。显影:通过将芯片表面的光刻胶所形成的图案暴露在显影液中进行刻蚀,去除光刻胶的非芯片图案区域,使得芯片上仅保留出所需要的器件结构。曝光显影加工是半导体工业制程中的一种加工方法,也被称为光刻工艺。该加工方法主要应用于芯片制造过程中的多个步骤中,如制造晶体管、金属线、电容、电阻等元件。通过它可以在芯片上制造出不同的图案,从而实现各种电子器件的功能。曝光显影加工是半导体工业中非常重要的一部分。曝光显影直接决定蚀刻图案的准确性,因此在菲林的制作上,需要非常准确和清晰。操作人员要规范作业,避免图案模糊或者移位影响产品品质。原文链接:http://www.sjgfc.com/caigou/show-54875.html,转载和复制请保留此链接。
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