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易失性和非易失性存储器

存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。对要求存储器容量非常大的系统而言，带有后备电池的DRAM可能是满足设计要求且很高的一种方法。

在有连续能量供给的系统中，易失性或非易失性存储器都可以使用，但必须基于断电的可能性做出决策。如果存储器中的信息可以在电力恢复时从另一个信源中恢复出来，则可以使用易失性存储器。

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EEPROM与FRAM

EEPROM和FRAM的设计参数类似，但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择EEPROM而不是FRAM，其主要原因是成本(FRAM较为昂贵)、质量水平和供货情况。设计工程师常常使用成本较低的串行EEPROM，除非耐久性或速度是强制性的系统要求。

DRAM和SRAM都是易失性存储器，尽管这两种类型的存储器都可以用作程序存储器和数据存储器，但SRAM主要用于数据存储器。DRAM与SRAM之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电，SRAM就能保持其数据，但DRAM只有极短的数据寿命，通常为4毫秒左右。

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和传统存储相比，云存储系统具有如下优势：优异性能支持高并发、带宽饱和利用。云存储系统将控制流和数据流分离，数据访问时多个存储服务器同时对外提供服务，实现高并发访问。自动均衡负载，将不同客户端的访问负载均衡到不同的存储服务器上。系统性能随节点规模的增加呈线性增长。系统的规模越大，云存储系统的优势越明显, 没有性能瓶颈。高度可靠针对小文件采用多个数据块副本的方式实现冗余可靠，数据在不同的存储节点上具有多个块副本，任意节点发生故障，系统将自动复印数据块副本到新的存储节点上，数据不丢失，实现数据完整可靠。

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存储器测试的目的是确认在存储设备中的每一个存储位置都在工作。换一句话说，如果你把数50存储在一个具体的地址，你希望可以找到存储在那里的那个数，直到另一个数写入。任何存储器测试的基本方法是，往存储器写入一些数据，然后根据内存设备的地址，校验读回的数据。如果所有读回的数据和那些写入的数据是一样的，那么就可以说存储设备通过了测试。只有通过认真选择的一组数据你才可以确信通过的结果是有意义的。

当然，像刚才描述的有储器的测试不可避免地具有破坏性。在内存测试过程中，你必须覆盖它原先的内容。因为重写非易失性存储器内容通常来说是不可行的，这一部分描述的测试通常只适用于RAM 的测试。