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晶体谐振器基本参数

操作温度范畴 晶体元件工作中在要求频差以内的操作温度范畴。 存储温度范围 晶体能在它的性中获得完好无损储存的范畴。 鼓励电平 电源电路中用于推动晶体元件震荡的开关电源叫鼓励电平，越好的商品必须的鼓励电平越小。 负荷电容 从晶体的2个脚位向电控系统看去电源电路所展现的所有合理电容，即是负荷电容，它与晶体元件一起决策晶体在电源电路上的工作效能。 等效电路 晶体的等效电路。可运用其描述晶体在串联谐振周边的工作中特点，Co表明静态数据电容，是晶体两电级中间的电容和再加上导线及底座产生的电容。RI、LI、CI构成晶体等效电路的动态臂。CI表明石英石的动态电容。LI为动态电感器，RI为动态电阻器 .

石英晶体的特点

石英晶体在压力作用下产生形变，同时产生电极化。其极化强度与压力成正比，这种现象就称'正压电效应'.反之，在电场作用下，晶体产生形变，其形变大小与电场强度成正比，这种现象称'逆压电效应'.

在二十多类具有压电效应的晶体中，石英晶体是无线通讯设备中较为满意的材料之一。它的机械强度高，物理化学性能稳定，内损耗低等，用它制成的器件被广泛用在频率控制和频率选择电路中。石英片的取向不同，其压电特性、弹性特性和强度特性就不同，用它来制造的谐振器的性能也不一样，现已发现了几十种有用的切割方式。

晶体谐振器的激励电平

激励电平。一般取70 -100uA 为佳，用激励功率表示时，一般取1 -100uW 为佳。激励电平的大小直接影响石英谐振器的性能，所以电路设计者一定要严格控制石英谐振器在规定的激励电平下工作，以便充分发挥石英谐振器的特点。一般来讲，激励电平偏小对于长稳有利，激励电平稍大对于短稳有利。但是激励电平太大，石英片振动强，振动区域温度升高，石英片内产生温度梯度，会使频率稳定度降低;激励电平过大，由于机械形变超过弹性限度而引起长期的晶格位移，使频率产生长期性的变化，甚至有时会把石英片振坏;激励电平过大，会使等效电阻增加，Q 值下降，电阻温度特性和频率温度特性变得不规则;激励电平过大，容易激起寄生振动，同时还会使老化变大。当然，激励电平过低也会使信噪比变小而影响短期稳定度，激励电平太低，谐振器不易起振，影响工作的稳定和可靠性。所以谐振器使用应根据不同的要求严格控制激励电平，更不能为了增大输出而随意提高激励电平。