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中芯国际取得一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利

   日期:2024-12-05     浏览:38    

金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利,公开号CN 119050114 A,申请日期为2023年5月。

原文链接:http://www.sjgfc.com/hangqing/show-31297.html,转载和复制请保留此链接。
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