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泉州20K焊接设备厂家服务周到「在线咨询」电的部首

   日期:2023-11-20     作者:长昕电子    浏览:42    评论:0    
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半导体的这四个特性,虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 [3]

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电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子-空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多。 [6]

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以GaN(氮化)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中,蓝色发光二极管LED实现商品化生产成功开发蓝光LED和LD之后,科研方向转移到GaN紫外光探测器上

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在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件,这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。

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