我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么区别？LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢？LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？
蕞大的不同是：1，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。
电子芯片长在硅衬底上，中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主；而LED长在蓝宝石（Al2O3）、SiC或Si衬底上，缓冲层后长成后，再长N型GaN层和P型GaN层，中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去，不同的电势能差则光的能量也有不同，表现就是不同的发光颜色（如蓝光、红光LED，红光能量低技术简单，很多年以前就出来了；蓝光LED能量高，难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光）
LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。
至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。
只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。
芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。
考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。
50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克•何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第壹种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。
蕞初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
分子束外延法属于物理气相沉积PVD里的真空蒸发法的一种，广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer，前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积，也就是真空镀膜，分子束外延就是薄膜沉积的一种方法，在裸硅片（或者其他衬底）上利用分子束外延法镀上多层薄膜，形成该芯片所需要的结构，用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片，外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节，再经过打线、Bonder、FCB、BGA植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。