先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别,这样可能更好的理解。
超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性,LED是纯粹的自发辐射,功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高,自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子,在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射,受激发射的光子从而呈指数型增加,由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点,即腔内损耗等于增益的时候。
对于光谱特性,SLD是初的自发发射谱和LED相同,但在增益的过程中,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄。
对于远场分布特性,SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向,由于LED是随机的自发辐射,方向也都是随机的,在这一方向的发散角是120°左右,而SLD在经过定向的自发放大后,发散角也得到了缩小,接近于LD的状态,一般为20°左右。
OCT系统的基本性能参数由光源决定,光源带宽决定了纵向分辨率,光源波长决定可能穿透深度。OCT光源的选用需要从中心波长、带宽、稳定性、谱型、功率等多方面考虑。通常由成像对象的性质来选择光的波长,目前眼前节OCT通常采用1310nm宽带SLD,眼底OCT采用830nm宽带SLD作为光源。
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求