曝光后的干膜有些需要放置10～15min后才能显影，这必须根据实际情况，根据干膜的要求执行。
利用稀碱溶液与光致抗蚀剂中未曝光部分的活性基团(羧基)反应，
曝光显影技术优势
1、解决3D曲面玻璃(包含四面曲)印刷难题；
2、图形转印技术单层、多层套印精度高；
3、雾化喷涂确保厚度均一性，提高致密性，降低油墨厚度；
4、采用图形转印技术，良率较高；
5、4-6寸盖板单制程产能优势明显；
6、较薄的油墨利于贴合，提高制程整体良率；
油墨喷涂
通过控制喷嘴的流量和传输速度实现油墨的均匀喷涂，无论两面曲四面曲皆能达到表面油墨均匀细腻，下图这款设备有效加工区宽度达500mm，方式为极速雾化式喷涂。
普通的明矾和。基本原则大体是：金属被蚀刻时先要清洗，之后图上一层耐酸物质。
曝光显影工艺主要应用于微电子加工中，是一种将芯片图案传递到硅片上的技术。
曝光显影工艺可以分为以下步骤：
显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，在此过程中，光刻胶会在掩膜中没有被曝光的部分（即需要去除的图案区域）中被消蚀，并暴露出硅片表面。刻蚀：在暴露出的芯片表面上利用化学或物理方法以去除未被的光刻胶保护的硅表面材料，制造出所需的芯片图案。这些步骤相互整合，完成硅片的制造。在不同的制造要求下，整个曝光显影工艺过程的条件和具体流程可能会有所不同。