曝光时菲林胶片黑色部分的钢片不被感光,对于空白的蚀刻钢片感光,
曝光一般在曝光机内进行,技术关键点:低温平行光源,波长根据油墨特性进行设备,目前光源是一大难点问题。利用曝光显影工艺正好可以解决遮蔽油墨不能通过传统印刷解决的问题,具有精度高,量产性好,良率高等特点,采用曝光显影技术,遮蔽油墨可控良率可达90%以上。
曝光显影是一种用于光刻制程的技术,主要用于制造半导体芯片、液晶显示器等微电子器件。它包含两个阶段:曝光:在将光线通过掩膜中的芯片图案照射到光刻胶表面的过程中,使得光刻胶在芯片表面保留下芯片图案的影像。曝光显影工艺可以分为以下步骤:准备硅片:在硅片上涂覆光刻胶,将硅片和光刻胶一起加热,使其在表面形成均匀的光刻胶层。照射:使用紫外线辐射光源将芯片图案(或感光掩膜中的图案)通过掩膜传递到光刻胶层上。显影:将曝光后的硅片浸泡在显影液中,在此过程中,光刻胶会在掩膜中没有被曝光的部分(即需要去除的图案区域)中被消蚀,并暴露出硅片表面。用负显影工艺可以实现较窄的沟槽,负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中 [1]。显影液表面停留(puddle):为了让显影液与光刻胶进行充分反应,用负显影工艺可以实现较窄的沟槽,负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中 [1]。所以的办法是依据显影的干膜光亮程度,图像清晰度,图案线条与底片相符,曝光设备参数和感光性能,确定适合的曝光时间。