半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件，具有容量大、耐压高和跨导高等特点。在电力电子技术中有着广泛的应用前景,尤其是在变频调速系统和斩波直接供电系统中作为开关元件使用时其性能更为突出。该产品由两路相同的晶闸管芯片通过特定电路互相关联而形成模块化结构,并采用符合IEC标准的合金材料制作壳架本体及电极触点，从而确保了整机的优异特性及其性报价因素：由于生产工艺复杂以及原材料成本的不断上涨导致价格不断攀升；同时市场竞争加剧也使得企业利润空间进一步缩小因此需要综合考虑各种因素的影响来制定合理的售价以维持企业的正常运营水平
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，常用于交流电机、变频器和其他需要能电源控制的设备中。下面是一张1200VIGBT的图片：该图片显示了一个具有金属氧化物半导体场效应的I-P型MOSFET结构体和N沟道MOS体的结合部构成的三端元件体内有透明的硅芯片部件以及在左侧引出电极上接有小型的散热片状物体的一侧视图；在该图的下方部分还附带了按照箭头方向连接有一条红色的导线且连接到小型铝质基座上的黑色线夹作为外部信号输入端口以控制内部驱动IC进行开通关断动作的结构配置信息说明提示内容为“BlockDiagram”。
IGBT模块是一种功率电子器件，广泛应用于电力传动、新能源等领域。其内部结构包括一个绝缘栅和两个背对背面形成的P-N结（MOS管的漏极），可实现高电压和大电流的开关操作；外部通常由多个封装组成，具有体积小重量轻的特点。在应用中需要注意以下几点：1）散热问题需要解决好以防止温度过高导致损坏设备;2)IGBT工作时应该注意浪涌冲击,避免造成性损伤.在使用过程中要定期检查更换保险丝管以保证运行