MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
在芯片晶圆上，有一些特殊的部分和特定的名称，比如：
Wafer：指整张晶圆Chip、Die：是指一小片带有电路的硅片划片道（Scribe line）：指Die与Die之间无功能的空隙，可以在这些安全的切割晶圆，而不会损坏到电路测试单元：一些用于表征Wafer工艺性能的测试电路单元，规律分布于Wafer各位置边缘Die（Edge Die）：Wafer边缘的一部分电路，通常这部分因为工艺一致性或切割损坏，会被损失。这部分损失在大的晶圆片中占比会减少切割面（Flat Zone）：被切成一个平面的晶圆的一条边，可以帮助识别晶圆方向
晶圆制备完成后，半导体的画布就形成了。后续半导体工艺由此开始。
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MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻加工中的光刻套件主要在硅材料上进行光刻，用于器件制造的商业标准光刻胶图案。图片所示设备，尽管套件设置为150毫米，但也可以处理更小的晶圆和碎片处理。在实际光刻加工中，确保一致的质量抗蚀剂1 µm厚涂层，不均匀性< +/- 0.5 %与3 mm边缘排除，实现分辨率：1 µm线条和空间，目标特征上的86°轮廓。
光刻套件对于大家来说可能有些陌生，根据ANFF-Q 大学介绍并展示的图片来看好像并没有那么复杂。
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半导体光刻加工委托加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻板的制作过程
1. 制作石英基板。空白基板通常为6英寸见方，厚度为0.25英寸。它由纯熔融石英制成，通常简称为石英。基板表面必须非常平坦且无缺陷。
2. 沉积吸收层。在基板上是薄的吸收层，可以阻挡来自光刻机的曝光。
3. 沉积光刻胶层。在吸收层的顶部是一层薄的光刻胶，暴露在光刻板写入机（Mask Writer）之下。
4. 写入。由光刻板写入机完成，使用电子束曝光光刻胶，将芯片设计的图案数据呈现在光刻胶上。
5. 烘烤。烘烤曝光的光刻胶，要求在光刻板上的每个点都温度均匀。
6. 显影。 使用显影剂使光刻胶的图像显影，漂洗并干燥而不留下任何残留物。因为光刻胶图案在蚀刻工艺期间用作光刻板，所以该显影步骤是关键的，因为显影中的任何不均匀性将导致终图案尺寸的不均匀性。
7. 蚀刻。然后将显影的光刻板放到到蚀刻机中，蚀刻机使用等离子体地蚀刻掉由写入和显影步骤带来的吸收剂材料。
8. 剥离和清洁。将蚀刻好的光刻板装入清洁机器中，清洁机器使用干等离子体或湿化学法剥离光刻胶。
9. 测量。测量关键尺寸（CD）和图案精度，以确保它们符合客户规格。
10. 检查。为了验证图案精度，将光掩模加载到Inspection机台中。如果发现缺陷，则对它们进行分类和必要的修复。
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